Obiectivele proiectului:
Scopul general al acestui proiect a fost dezvoltarea tehnologiei de obținere a membranelor de nitrură de galiu (GaN) cu diferite dimensiuni, crearea elementelor memristive pe baza lor şi asamblarea sistemelor capabile să efectueze cele mai simple operații de învățare.
Obiectivele propuse spre realizare au fost:
• Proiectarea și simularea circuitelor memristive bazate pe membrane de GaN cu scopul modelării mecanismelor de formare a defectelor în membrana de GaN.
• Fabricarea elementelor memristive pe baza membranelor ultrasubțiri de GaN cu diferite grosimi şi design-uri, precum şi pe reţele de membrane, pentru a fi utilizate în calitate de sinapse artificiale:
- Obținerea nanomembranelor ultrasubțiri în bază de GaN utilizând metoda Litografiei cu Sarcină de Suprafață (SCL). Proiectarea rețelelor de membrane de GaN cu diferite design-uri.
- Caracterizarea morfologică a structurilor obținute în baza nanomembranelor de GaN.
- Studiul proprietăților electrice și investigarea efectului memristiv în nanomembranele de GaN.
• Demonstrarea în premieră a fezabilităţii circuitelor electronice în baza nanomembranelor de GaN capabile să îndeplinească funcţii de învăţare a obişnuinţei la un stimul şi funcţii de percepţie elementară.
• Efectuarea vizitelor reciproce, organizarea seminarelor şi atelierelor de lucru. Conlucrarea tinerilor cercetători din ambele echipe pentru a învăţa unul de la altul, să îşi împărtăşească experienţa câştigată prin lucru efectiv pe noile echipamente şi tehnologii, proiectare şi fabricare care sunt disponibile la IMT. Acumularea experienţei practice mult mai largi în domeniul nanotehnologiei.
Termenul executării:
01.09.2016 - 31.08.2018
|
